导读
7月16日消息，中信证券研报指出，以碳化硅为代表的第三代半导体具有禁带宽度大、饱和电子漂移速率高、击穿电场高、热导率高等特点，是...
7月16日消息，中信证券研报指出，以碳化硅为代表的第三代半导体具有禁带宽度大、饱和电子漂移速率高、击穿电场高、热导率高等特点，是半导体产业未来发展的重要方向。碳化硅衬底位于碳化硅产业链的核心上游，采用碳化硅功率器件的高压快充新能源汽车更能适应其增加续航里程、缩短充电时间和提升电池容量等需求，预计将成为未来的主流选择，驱动碳化硅衬底需求进一步增长。
文章转载自：界面新闻网 非本站原创
版权声明：转载此文是出于传递更多信息之目的。若有来源标注错误或侵犯了您的合法权益，请作者持权属证明与本网联系，我们将及时更正、删除，谢谢您的支持与理解。