工信部公开征求对光伏制造行业规范条件及公告管理办法（征求意见稿）的意见，征求意见稿提出，新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求：

多晶硅满足《电子级多晶硅》（GB/T12963）3级品以上要求或《流化床法颗粒硅》（GB/T35307）特级品的要求。

多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命不低于5μs，碳、氧含量分别小于6ppma和8ppma；P型单晶硅片少子寿命不低于90μs，N型单晶硅片少子寿命不低于1000μs，碳、氧含量分别小于1ppma和12ppma，其中异质结电池用N型单晶硅片少子寿命不低于700μs，碳、氧含量分别小于1ppma和14ppma。

多晶硅电池、P型单晶硅电池和N型单晶硅电池（双面电池按正面效率计算）的平均光电转换效率分别不低于27%、27%和26%。

多晶硅组件、P型单晶硅组件和N型单晶硅组件（双面组件按正面效率计算）的平均光电转换效率分别不低于17%、28%和21%。

CIGS、CdTe及其他薄膜组件的平均光电转换效率分别不低于16%、15%、15%。

文章转载自：界面新闻网 非本站原创