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SK海力士计划投资超38亿美元在韩国新建DRAM芯片生产基地

综合快讯
导读 4月24日消息,SK海力士计划投资3万亿韩元(36亿美元)在韩国新建DRAM芯片生产基地。(路透) 文章转载自:界面新闻网 非本站原创
2024-04-24 17:00:59

4月24日消息,SK海力士计划投资3万亿韩元(36亿美元)在韩国新建DRAM芯片生产基地。(路透)

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