大家目前应该是对于高通用于可穿戴设备的下一代SoC:骁龙W5 Gen 1和W5 Plus Gen 1泄露方面的知识比较感兴趣,所以今天小编也是特地在网络上收集了一些高通用于可穿戴设备的下一代SoC:骁龙W5 Gen 1和W5 Plus Gen 1泄露方面的知识来分享给大家,感兴趣的小伙伴就好好看下下面的文章吧。
据报道,高通正在为可穿戴编程设备开发未来的SoC,而根据以泄漏形式分享的最新新闻图片,它们的正式名称是骁龙W5 Gen 1和骁龙W5 Plus Gen 1。让我们来了解一下编程客栈细节。新的可穿戴SoC由于采用了新的4纳米工艺,电池寿命可延长50%,同时可以采用更时尚紧凑的设计和带来其他升级。
与Snapdragophpn Wear 4100 Plus相比,知名爆料人Evan Blass分享的新闻图片显示,Snapdragon W5 Plus第一代在制造工艺上有了飞跃,因为它是在4纳米架构上制造的,但没有提到该工艺是基于三星还是台积电的技术。通过新的可穿戴SoC,高通公司表示电池续航将延长50%,由于采用了更省电的制造工艺,设计将更android时尚。
这两款处理器自带多种低功耗模式,至少有25种设计正在进行中,这表明许多手机制造商将推出采用骁龙W5 Gen 1和骁龙W5 Plus Gen 1的智能手表。 新的芯片组还具有新的机器学习U55芯片,同时支持高达16GB的LPDDR4内存,运行频率为2133MHz。
骁龙W5 Plus Gen 1的CPU配置包括四个Cortex-A53内核和一个运行在250MHz的Cortex-M55,GPU是运行频率为1GHz的Adreno 702,该装置将负责生成交互式手表界面。一大堆传感器也将是该软件包的一部分,支持一系列标准,如蓝牙5.3、QHS、双ISP、EIS 3.0等等。
新闻图片没有提到高通打算何时正式推出骁龙W5 Gen 1和骁龙W5 Plus Gen 1,但从改进的内容来看,高通已经开始认真对待可穿戴设备。
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