晶格能是指在标准状况下，使离子晶体变成气态正离子和气态负离子时所吸收的能量，它是度量晶格稳定性的参数。

和离子半径、离子电荷以及离子的电子层构型等有关。

有关因素举例：离子半径例如，随着卤离子半径增大，卤化物的晶格能降低。

2、离子电荷高价化合物的晶格能远大于低价离子化合物的晶格能。

3、电子层构型Cu⁺和Na⁺半径相近、离子电荷相同，但Cu⁺是18电子构型，对阴离子会产生极化作用，因此ᵁCu₂S<ᵁNa₂S。

扩展资料：晶格能决定离子晶体的稳定性。

它可以用来解释和预测离子晶体的许多物理和化学性质。

例如，根据晶格能，可以得到实验中难以测量的电子亲和力，可以得到离子化合物的溶解热，并且可以预测溶解的热效应。

晶格能越大，离子键越强，晶体越稳定。

晶格能越大，熔化或破坏离子晶体所消耗的能量越大，相应的熔点越高，硬度越大。

铜离子有18种电子构型，钠离子有8种电子构型。

亚铜离子的极化比钠离子的极化大，因此共价键组成多，晶格小，熔点低。

参考资料来源：百度百科-晶格能参考资料来源：百度百科-晶格。