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GaNFast是一种以GaN氮化镓为基础的新型充电技术，具有小尺寸、轻量和高效的优势，GaNFast技术为业界带来小巧、高效的充电器，可以为手机和笔记本电脑等电子产品快速充电。
GaNFast 是一种以 GaN 氮化镓为基础的新型充电技术，具有小尺寸、轻量和高效的优势，GaNFast 技术为业界带来小巧、高效的充电器，可以为手机和笔记本电脑等电子产品快速充电。GaN(氮化镓)作为一种新半导体材料。
新型高速氮化镓（GaN）功率 IC 的性能比旧式硅（Si）芯片的好 20 倍以上。通过高频工作并同时提高效率，GaNFast 功率 IC 可减小变压器、散热片和印刷电路板等组件的尺寸、重量和成本。
关于纳微纳微（Navitas）半导体公司是世界上第一家也是唯一的 GaN 功率 IC 公司， 于 2013 年在加利福尼亚州 El Segundo 成立。纳微拥有强大且不断增长的功率半导体行业专家团队，在材料、器件、 应用程序、系统和营销及创新成功记录的领域内，合共拥有超过 200 年的经验；此外，其多位创始人也合共拥有超过 200 项专利。该公司专有的 AllGaN™ 工艺设计套件将最高性能的 GaN FET 与逻辑和模拟电路单片集成。纳微 GaN 功率 IC 为移动、消费、企业和新能源市场提供更小、更高能效和更低成本的电源。 纳微拥有或正在申请的专利超过 30 项。
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