导读
安世半导体消息，公司近日宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE30V N沟道小信号Trench MOSFET，该产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装，具有市...
安世半导体消息，公司近日宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE30V N沟道小信号Trench MOSFET，该产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装，具有市场领先的RDS(on)特性，在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下，可使电力更为持久。
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